技術(shù)編號：5271915
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及碳系材料突起的形成方法及碳系材料突起構(gòu)造。背景技術(shù) 迄今為止，在形成金剛石的突起構(gòu)造時，有如下的方法，即，在Si的各向異性蝕刻的凹形模具中形成金剛石，將Si除去，形成多晶金剛石的棱錐(例如參照下述非專利文獻(xiàn)1)。但是，在將該方法用于電子發(fā)射元件中時，由于需要減小頭端粒徑，因此突起成為多晶，由于在突起內(nèi)部存在晶界，因此電子的輸送不順暢，有無法從NEA表面有效地進(jìn)行電子的發(fā)射的問題。另外，在用于鄰近場光探針中的情況下，如果是多晶，則由于晶界或各個晶體...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。