技術(shù)編號：5271571
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制備碳化硅納米線的方法。背景技術(shù)碳化硅納米線是繼第一代(Si)和第二代(GaAs、GaP、InP等)半導(dǎo)體材料后興起的第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料，其具有禁帶寬、擊穿電場大、熱導(dǎo)率和電子飽和漂移速度大的特點。這些性能使其在高溫、高頻、高功率等極端環(huán)境下使用的光電子器件制備方面有著巨大的應(yīng)用前景。而碳化硅納米線除了具有其寬帶隙的性能外，還由于特有的納米尺寸效應(yīng)、特殊的形貌和內(nèi)在的結(jié)構(gòu)及缺陷，在力學(xué)性能、發(fā)光性能和場發(fā)射性能等方面有更多的特異性。目前合成碳...
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