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堆疊半導體器件及其形成方法技術資料下載

技術編號:5270393

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本發(fā)明提供了一種堆疊半導體器件,包括第一襯底。多層互連件設置在第一襯底上方。金屬部分設置在多層互連件上方。第一接合部件位于金屬部分上方。第二襯底具有正面。腔在第二襯底中從正面延伸到深度D。腔具有內表面。停止層設置在腔的內表面上方??梢苿咏Y構設置在第二襯底的正面上方并懸于腔上??梢苿咏Y構包括介電膜、位于介電膜上方的金屬單元以及位于金屬單元上方的覆蓋介電層。第二接合部件位于覆蓋介電層上方并接合至第一接合部件。第二接合部件延伸穿過覆蓋介電層并電連接至金屬單元。本...
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