技術編號：5268544
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種硅微通道結構制作的過程控制方法，具體涉及一 種電化學方法制作硅微通道過程中在微通道結構與襯底之間產(chǎn)生斷層的方法，屬于微機電系統(tǒng)技術(MEMS)領域。技術背景在硅微通道板的電化學制作過程中，我們在前一專利(申請?zhí)?200710037961. X)中發(fā)現(xiàn)在腐蝕后期采用大電流，在一定條件下，陽極氧化能夠使意形成的多孔硅層與硅襯底實現(xiàn)自分離，并提出了可以 利用此現(xiàn)象制作硅微通道。然而，由此方法制作的微通道的背面的平 整性往往難以得到保證，本發(fā)明通過改...
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