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錫摻雜硒化鉛納米粒子的制備方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:5266329

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本發(fā)明屬于光電材料,具體涉及ー種。背景技術(shù)近年來,由于其相對較窄的能帶間隙和較大的激子玻爾半徑,IV-VI族半導(dǎo)體被認(rèn)為是太陽電池薄膜吸光層的潛在替代材料。其中,硒化錫(SnSe)、硒化鉛(PbSe)、碲化鉛 (PbTe)等ニ元化合物的相關(guān)研究已經(jīng)被廣泛地報道。然而,光電器件在應(yīng)用方面最重要的性質(zhì)之一就是連續(xù)可調(diào)的能帶間隙,這卻是硒化鉛等ニ元化合物難以實現(xiàn)的。如果對硒化鉛進行錫摻雜,就能夠很好地通過成分的變化對帶隙能進行調(diào)節(jié)。經(jīng)對現(xiàn)有技術(shù)的文獻檢索發(fā)現(xiàn),H...
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