技術(shù)編號(hào)：5266161
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及納米材料的制備，具體的是涉及一種。背景技術(shù)CdSed. 74eV)的直接躍遷帶隙較窄，具有優(yōu)異的光電導(dǎo)性能，而其量子點(diǎn)以其優(yōu)良的熒光性能吸引了越來越多人的關(guān)注的目光。它的熒光強(qiáng)度高，光致退色時(shí)間長(zhǎng)，很適于用來進(jìn)行生物熒光標(biāo)識(shí)，被廣泛的應(yīng)用于光學(xué)材料、太陽能材料和傳感器。CdS是一種典型的光電半導(dǎo)體材料。摻雜元素的引入是對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光特性進(jìn)行調(diào)控的一個(gè)重要手段，因此基于CdS納米晶摻雜體系的研究倍受關(guān)注。一般來說，采用具有相似晶格參數(shù)的無機(jī)半導(dǎo)體材料...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。