技術(shù)編號(hào)：5019742
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于處理被至少一種難于通過蒸餾分離的氫化合物污染的四氯化硅或四氯化鍺的方法和裝置四氯化硅(SiCl4)被尤其用于光波導(dǎo)的制備。上述應(yīng)用需要非常高純度的SiCl4。具體而言，含氫的雜質(zhì)是極度不利的，即使它們只以ppm的量存在。在四氯化硅的含氫雜質(zhì)中，需要明確雜質(zhì)間的差別，哪些雜質(zhì)是難于分離的，哪些雜質(zhì)是容易分離的。例如，HCl可通過簡單的分餾從四氯化硅中分離將其降低至＜1ppm重量的濃度。另一方面，特別是烴，還有氯代烴和相應(yīng)的化合物如含有烷基的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。