技術編號：4974424
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種除害劑和使含鹵素氣體無害的方法，這種方法可以使半導體器件制造過程的干蝕刻或清潔步驟排出的含鹵素氣體的廢氣成為無害的方法，本發(fā)明還涉及使用這些制造半導體器件的方法。 背景技術 在半導體器件制造過程的干蝕刻步驟，進行干蝕刻的材料如SiO2、Si、SiW、SiN、Al、GaAs、GaP和InP可以使用例如一種或多種選自下列的氣體碳氟類氣體、六氟化硫、鹵化氫(如氯化氫)、三氯化硼和鹵素氣體(如氯氣)；以及根據(jù)目的從氧氣、氮氣、氫氣、氬氣和氦氣中選擇的...
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