技術(shù)編號(hào)：40444709
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及于功率半導(dǎo)體器件，特別是功率氮化鎵器件的制造方法。背景技術(shù)、相比于硅材料，氮化鎵材料具有更大的能帶隙、更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場(chǎng)。氮化鎵高電子遷移率晶體管為常見(jiàn)的功率器件，并廣泛應(yīng)用于射頻、微波等高頻應(yīng)用領(lǐng)域。、一種已有的氮化鎵高電子遷移率晶體管結(jié)構(gòu)如圖所示，傳統(tǒng)勢(shì)壘層與位于其下方的溝道層形成異質(zhì)結(jié)，并且在異質(zhì)結(jié)下方的溝道層的表面形成傳統(tǒng)二維電子氣(deg)?。傳統(tǒng)勢(shì)壘層的材料通常為氮化鋁鎵?(alxga-xn)，?x?為氮化鋁鎵的鋁含量(?...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。