技術(shù)編號：40444388
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體，尤其涉及一種基于cmos工藝的高密度自整流器件及其制備方法。背景技術(shù)、在后摩爾時代，集成電路的發(fā)展面臨馮·諾依曼瓶頸問題，這一瓶頸限制了處理器與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳輸速度，降低了計算效率。為了解決這一問題，研究人員開始關(guān)注憶阻器（memristor）作為新型非易失性存儲器件的潛力。憶阻器具有可調(diào)的電阻狀態(tài)，能夠用于信息存儲和計算，因其高密度和低功耗特性而被視為未來內(nèi)存和計算架構(gòu)的重要組成部分。然而，在大規(guī)模被動陣列中集成憶阻器時，需要自整流器件以避免陣列間的電流串擾，現(xiàn)有自整流器...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。