技術編號：40444151
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本申請涉及半導體，并且更具體地，涉及膜層結構、膜層結構的制備方法和顯示基板。背景技術、現(xiàn)階段，在以有機發(fā)光二極管(organic?light-emitting?diode，oled)作為發(fā)光器件的顯示基板中，oled多采用頂發(fā)射結構，在該頂發(fā)射結構中，oled陽極的膜層結構為氧化銦錫(indium?tin?oxide，ito)層、銀(ag)層和ito層依次堆疊的復合結構。、但是，在上述膜層結構的制備過程中，需要進行ito晶化處理，該處理通常會造成膜層結構中的ito層出現(xiàn)一些孔洞，或稱針孔(p...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。