技術(shù)編號：40442575
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開涉及半導(dǎo)體存儲器，尤其涉及一種測試電路及存儲器。背景技術(shù)、動態(tài)隨機存取存儲器(dynamic?random?access?memory，dram)作為一種半導(dǎo)體存儲器，尤其是第代ddr(th?double?data?rate，ddr)，因具有高效能和低成本的特性被廣泛應(yīng)用在各種電子產(chǎn)品上。目前存儲器最常用的測試方法是存儲器內(nèi)建自測試(memorybuild?in?self?test，mbist)方法，mbist電路以存儲器為目標，自動生成存儲器的測試電路，通過執(zhí)行特定的測試算法，來...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼，用于學(xué)習(xí)原理，如您想要源代碼請勿下載。