技術(shù)編號：40439139
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種用于sram寫輔助模塊的負(fù)壓位線控制電路。背景技術(shù)、隨著半導(dǎo)體器件制程發(fā)展，sram存儲單元的面積逐漸微縮，導(dǎo)致npg、npd器件尺寸大幅減??；同時，為了提高存儲單元的噪聲容限來保證數(shù)據(jù)可靠，ppu管的電流能力相對npd管得到了加強(qiáng)，導(dǎo)致存儲單元在寫入時，qb節(jié)點電位受pppu和nnpg管競爭，無法很快降到低電位使qt/qb節(jié)點電位翻轉(zhuǎn)，如圖(a)所示。因此需要更長的寫入時間保證存儲單元內(nèi)數(shù)據(jù)電位翻轉(zhuǎn)，在工藝波動時甚至無法寫入導(dǎo)致sram失敗。、為了提高...
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