技術(shù)編號：40400015
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶體生長，尤其涉及一種提拉法生長晶體的坩堝及溫場結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、當(dāng)前大多數(shù)氧化物晶體是通過熔體法生長而成的，其中熔體法又主要有提拉法、坩堝下降法、溫梯法、激光加熱基座法和區(qū)熔法等，這些生長方法多數(shù)都需要用到坩堝。、以提拉法生長鈮酸鋰晶體為例，為了獲得組分均勻、結(jié)構(gòu)完好的鈮酸鋰晶體，最好具備以下幾個基本條件：①生長出的晶體的質(zhì)量不超過熔體質(zhì)量的%，且摩爾分?jǐn)?shù)偏離同成分組分不超過士%,如果將熔體中氧化鋰含量范圍放寬至不超過同成分濃度的摩爾分?jǐn)?shù)的%，則生長出的晶體的質(zhì)量一般不超過熔...
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