技術(shù)編號：40397501
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開實施例涉及封裝領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、封裝結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)、隨著芯片集成度的不斷提升，電容的性能也需要提升，采用深溝槽電容器(deeptrench?capacitor，簡稱dtc)替代傳統(tǒng)貼片電容成為大勢所趨，由于深溝槽電容器在高的偏置電壓下仍具有高穩(wěn)定性及低漏電流，因此，其廣泛應(yīng)用于天線匹配、射頻濾波和ic(integrated?circuit，集成電路)去耦及相關(guān)工業(yè)領(lǐng)域。、然而，設(shè)置深溝槽電容器沒有充分利用基板表面面積，導(dǎo)致最后得到的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的集成密度較低以...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。