技術(shù)編號：40393250
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。背景技術(shù)、mos(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)晶體管，是現(xiàn)代集成電路中最重要的元件之一，mos晶體管的基本結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底表面的，所述包括：位于半導(dǎo)體襯底表面的柵介質(zhì)層以及位于柵介質(zhì)層表面的柵電極層；位于兩側(cè)半導(dǎo)體襯底中的源漏摻雜區(qū)。mos包括pmos晶體管和nmos晶體管。、為了適應(yīng)集成電路設(shè)計(jì)中不同晶體管的開關(guān)速度的需要，需要形成具有多閾值電壓的晶體管。、為了減小調(diào)節(jié)pmos晶體管和nmos晶體管的閾值電...
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