技術(shù)編號:40384470
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開實(shí)施例涉及但不限于半導(dǎo)體技術(shù),尤指一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子設(shè)備。背景技術(shù)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)從應(yīng)用上可劃分為易失性存儲(chǔ)器(ram,包括dram和sram等),以及非易失性存儲(chǔ)器(rom和非rom)。、以dram為例,傳統(tǒng)已知的dram有多個(gè)重復(fù)的“存儲(chǔ)單元”,每個(gè)存儲(chǔ)單元有一個(gè)電容和晶體管。電容可以存儲(chǔ)位數(shù)據(jù),充放電后,電容存儲(chǔ)電荷的多少可以分別對應(yīng)二進(jìn)制數(shù)據(jù)“”和“”。晶體管是控制電容充放電的開關(guān)。、為了盡可能降低產(chǎn)品的成本,人們希望在有限的襯底上做出盡可能多的存儲(chǔ)單元。自從...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲(chǔ)備,不適合論文引用。