技術(shù)編號：3803841
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及II一VI族納米發(fā)光材料，具體是指一種低成本硒化鎘(CdSe) /硫化鎘(CdS) /硫化鋅(ZnS)核殼量子點(diǎn)的制備方法。 背景技術(shù)近二十年來，由于半導(dǎo)體量子點(diǎn)具有特殊的物理性質(zhì)，因而得到了諸多學(xué)者 的青睞，其制備方法得到迅速發(fā)展。其中熱點(diǎn)之一的II一VI族CdSe量子點(diǎn)的制 備方法更是層出不窮，原因在于CdSe量子點(diǎn)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)只需控制 CdSe的粒徑大小，就可以得到發(fā)光波長幾乎覆蓋整個可見光波段的熒光；熒光 峰的半峰全寬(FWHM)很...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。