技術(shù)編號：3803019
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及在用等離子體氣相沉積的方法制備納米硅基多孔發(fā)光薄膜材料的方法，特 別是涉及一種涉及常壓下用等離子體氣相沉積的方法制備納米硅基多孔發(fā)光薄膜材料的 方法。技術(shù)背景19卯年英國科學家L.T.Canham發(fā)現(xiàn)了多孔硅(Porous Si PS)在室溫條件下的光致 發(fā)光(Photoluminescence PL)。 Canham發(fā)現(xiàn)多孔硅可以在近紅外和可見光區(qū)輻射強烈的 熒光，而且其量子效率達到1% 10%，而同等條件下單品硅的量子效率僅為10—4%，這提...
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