技術(shù)編號：3777498
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種化學(xué)機(jī)械研磨組合物，特別是涉及一種用于拋光半導(dǎo)體制造中介電層表面的化學(xué)機(jī)械研磨組合物，及使用該研磨組合物的化學(xué)機(jī)械研磨方法?；瘜W(xué)機(jī)械研磨技術(shù)是為解決IC制造時因鍍膜高低差異而導(dǎo)致微影制程上聚焦的困難而開發(fā)出來的一項平坦化技術(shù)?；瘜W(xué)機(jī)械研磨(CMP)技術(shù)首先被少量應(yīng)用在0.5微米元件的制造上，隨著尺寸的縮小，化學(xué)機(jī)械研磨應(yīng)用的層數(shù)也越來越多。到了0.25微米世代，化學(xué)機(jī)械研磨已成為主流而且必須的平坦化技術(shù)。一般而言，化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)在半導(dǎo)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。