技術(shù)編號(hào):3776582
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路的制備方法,特別涉及使用于銅金屬噴涂所用的金屬結(jié)構(gòu)的化學(xué)機(jī)械拋光的漿液。銅金屬噴涂結(jié)構(gòu)經(jīng)常是由所謂金屬鑲嵌(Damascene)如附圖說(shuō)明圖1所示的方法予以形成。所謂中間層介電(ILD)的絕緣層隔離多層金屬噴涂結(jié)構(gòu)中的金屬層??砂ǖ讓?及頂端,低介電常數(shù)層6的ILD介電層2具有金屬線將會(huì)嵌入的蝕刻于其中的區(qū)域8。沉積用以防止銅由金屬線擴(kuò)散至介電中的障壁層10。此障壁層通常系包括Ta或Ta化合物。然后通常沉積銅種子層,接著電鍍的銅層14。...
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