技術(shù)編號：3773132
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)用于電子器件中的硅晶片典型地由單晶硅錠制備，首先使用金剛石鋸將單晶硅錠切成薄晶片，經(jīng)研磨以改進(jìn)平整度，并經(jīng)蝕刻以除去由研磨造成的表面下的損傷。然后，典型地以兩步法拋光硅晶片，以在該晶片容許用于電子器件中之前除去由蝕刻造成的納米構(gòu)形(nanotopography)并達(dá)到所需的厚度。在第一拋光步驟中，需要高移除速率，且理想地，該納米構(gòu)形不會在該步驟期間劣化。納米構(gòu)形為量度區(qū)域的前表面拓?fù)涞膮?shù)，且定義為空間波長在約0. 2至20mm之內(nèi)的表面偏差。納米...
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