專利名稱：用于拋光大體積硅的組合物及方法
用于拋光大體積硅的組合物及方法
背景技術(shù)：
用于電子器件中的硅晶片典型地由單晶硅錠制備，首先使用金剛石鋸將單晶硅錠切成薄晶片，經(jīng)研磨以改進(jìn)平整度，并經(jīng)蝕刻以除去由研磨造成的表面下的損傷。然后，典型地以兩步法拋光硅晶片，以在該晶片容許用于電子器件中之前除去由蝕刻造成的納米構(gòu)形(nanotopography)并達(dá)到所需的厚度。在第一拋光步驟中，需要高移除速率，且理想地，該納米構(gòu)形不會在該步驟期間劣化。納米構(gòu)形為量度區(qū)域的前表面拓?fù)涞膮?shù)，且定義為空間波長在約0. 2至20mm之內(nèi)的表面偏差。納米構(gòu)形不同于表面平整度，不同點(diǎn)在于對于納米構(gòu)形而言，晶片表面的平整度相對于該晶片表面本身測得；而對于表面平整度而言，晶片表面的平整度相對于用于固持該晶片的平面卡盤測得。因此，晶片可具有完美的平整度，但仍然具有納米構(gòu)形。如果晶片在該晶片的前側(cè)和后側(cè)具有表面不規(guī)則性，但所述前表面和后表面是平行的，則該 晶片具有完美的平整度。然而，該同一晶片將顯示出納米構(gòu)形。納米構(gòu)形以空間頻率橋接(bridge)晶片表面不規(guī)則性的拓?fù)鋱D中的粗糙度與平整度之間的間隙。用于硅晶片的常規(guī)拋光組合物顯示出高的硅移除速率，但產(chǎn)生硅晶片的增加的納米構(gòu)形。該增加的納米構(gòu)形提高了對用以產(chǎn)生適于進(jìn)一步加工成半導(dǎo)體基板的硅晶片的第二最終拋光步驟的要求。因此，本領(lǐng)域仍需要用于硅晶片的改進(jìn)的拋光組合物。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了包含以下的拋光組合物(a) 二氧化硅、(b) —種或多種提高硅移除速率的化合物、(c)四烷基銨鹽、及(d)水，其中該拋光組合物的pH值為7至11。
本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光組合物的第一實(shí)施方案包括基本上由以下組成或者由以下 組成的化學(xué)機(jī)械拋光組合物(a)0. 5重量％至20重量％的二氧化硅、(b)0. 02重量％至5重量％的一種或多種有機(jī)羧酸、(c)0. 02重量％至2重量％的一種或多種氨基膦酸、(d)0. I重量％至5重量％的一種或多種四烷基銨鹽、(e)任選的一種或多種碳酸氫鹽、(f)任選的氫氧化鉀、及(g)水，其中該拋光組合物的PH值為7至11。本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光組合物的第二實(shí)施方案包括基本上由以下組成或者由以下組成的化學(xué)機(jī)械拋光組合物(a)0. 5重量％至20重量％的二氧化硅、(b)0. 01重量％至2重量％的一種或多種多氨基羧酸、(c)0. 05重量％至5重量％的一種或多種胺、(d)0. I重量％至5重量％的一種或多種四烷基銨鹽、(e)0. 001重量％至I重量％的一種或多種二醇化合物、(f)任選的一種或多種碳酸氫鹽、及(g)水，其中該拋光組合物的PH值為7至11。本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光組合物的第三實(shí)施方案包括基本上由以下組成或者由以下組成的化學(xué)機(jī)械拋光組合物(a)0. 5重量％至20重量％的二氧化硅、(b)0. 01重量％至2重量％的一種或多種多氨基羧酸、(c)0. I重量％至5重量％的一種或多種四烷基銨鹽、
(d)0. 01重量％至5重量％的一種或多種有機(jī)羧酸、(e)任選的0. I重量％至5重量％的一種或多種胺、(f)任選的一種或多種碳酸氫鹽、及(g)水，其中該拋光組合物的PH值為7至11。
本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光組合物的第四實(shí)施方案包括基本上由以下組成或者由以下組成的化學(xué)機(jī)械拋光組合物(a)0. 5重量％至20重量％的二氧化硅、(b)0. 02重量％至5重量％的一種或多種含氮雜環(huán)化合物、(c)0. 05重量％至2重量％的一種或多種氨基膦酸、
(d)0.I重量％至5重量％的一種或多種四烷基銨鹽、(e)任選的一種或多種碳酸氫鹽、及
(f)水，其中該拋光組合物的p H值為7至11。本發(fā)明還提供了用本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光組合物化學(xué)機(jī)械地拋光基板的方法。本發(fā)明化學(xué)機(jī)械地拋光基板的方法的第一實(shí)施方案包括(i)使基板與拋光墊及化學(xué)機(jī)械拋光組合物接觸，該拋光組合物基本上由以下組成或由以下組成(a)0. 5重量％至20重量％的二氧化硅、(b)0. 02重量％至5重量％的一種或多種有機(jī)羧酸、(c)0. 02重量％至2重量％的一種或多種氨基膦酸、(d)0. I重量％至5重量％的一種或多種四烷基銨鹽、(e)任選的一種或多種碳酸氫鹽、(f)任選的氫氧化鉀、及(g)水，其中該拋光組合物的PH值為7至11 ; (ii)使該拋光墊相對于該基板移動，其中該化學(xué)機(jī)械拋光組合物位于其間 '及(iii)磨除該基板的至少一部分以拋光該基板。本發(fā)明化學(xué)機(jī)械地拋光基板的方法的第二實(shí)施方案包括(i)使基板與拋光墊及化學(xué)機(jī)械拋光組合物接觸，該拋光組合物基本上由以下組成或由以下組成(a)0. 5重量％至20重量％的二氧化硅、(b)0. 01重量％至2重量％的一種或多種多氨基羧酸、(c)0. 05重量％至5重量％的一種或多種胺、(d)0. I重量％至5重量％的一種或多種四烷基銨鹽、
(e)0.001重量％至I重量％的一種或多種二醇化合物、(f)任選的一種或多種碳酸氫鹽、及
(g)水，其中該拋光組合物的PH值為7至11; (ii)使該拋光墊相對于該基板移動，其中該化學(xué)機(jī)械拋光組合物位于其間 '及(iii)磨除該基板的至少一部分以拋光該基板。本發(fā)明化學(xué)機(jī)械地拋光基板的方法的第三實(shí)施方案包括(i)使基板與拋光墊及化學(xué)機(jī)械拋光組合物接觸，該拋光組合物基本上由以下組成或由以下組成(a)0. 5重量％至20重量％的二氧化硅、(b)0. 01重量％至2重量％的一種或多種多氨基羧酸、(c)0. I重量％至5重量％的一種或多種四烷基銨鹽、(d)0. 01重量％至5重量％的一種或多種有機(jī)羧酸、(e)任選的0. I重量％至5重量％的一種或多種胺、(f)任選的一種或多種碳酸氫鹽、及(g)水，其中該拋光組合物的PH值為7至11 ；(ii)使該拋光墊相對于該基板移動，其中該化學(xué)機(jī)械拋光組合物位于其間 '及(iii)磨除該基板的至少一部分以拋光該基板。本發(fā)明化學(xué)機(jī)械地拋光基板的方法的第四實(shí)施方案包括(i)使基板與拋光墊及化學(xué)機(jī)械拋光組合物接觸，該拋光組合物基本上由以下組成或由以下組成(a)0. 5重量％至20重量％的二氧化硅、(b)0. 02重量％至5重量％的一種或多種含氮雜環(huán)化合物、
(c)0. 05重量％至2重量％的一種或多種氨基膦酸、(d)0. I重量％至5重量％的一種或多種四烷基銨鹽、(e)任選的一種或多種碳酸氫鹽、及(f)水，其中該拋光組合物的PH值為7至11 ;(ii)使該拋光墊相對于該基板移動，其中該化學(xué)機(jī)械拋光組合物位于其間；及(iii)磨除該基板的至少一部分以拋光該基板。


圖I為說明了表面參數(shù)R最大的示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供了包含以下的拋光組合物(a) 二氧化硅、(b) —種或多種提高硅移除速率的化合物、(c)四烷基銨鹽、及(d)水，其中該拋光組合物的pH值為7至11。所述二氧化硅可為任意適宜形式的二氧化硅，如濕法型二氧化硅、熱解二氧化硅、或其組合。例如，所述二氧化硅可包括濕法型二氧化硅顆粒(例如，縮聚二氧化硅顆?；虺恋矶趸揞w粒)。典型地,通過使Si (OH)4縮合以形成膠體顆粒來制備縮聚二氧化娃顆粒，其中，膠體顆粒定義為平均粒度在Inm與IOOOnm之間。這樣的研磨劑顆粒可根據(jù)美國專利5，230，833制備，或者，可作為各種市售產(chǎn)品中的任意產(chǎn)品而獲得，所述各種市售產(chǎn)品例如為 Akzo-Nobel Bindzil 50/80 產(chǎn)品、Nalco DVSTS006 產(chǎn)品、及 Fuso PL-2 產(chǎn)品，以及其它可得自 DuPont、Bayer、Applied Research、Nissan Chemical、及 Clariant 的類似產(chǎn)品。所述二氧化硅可包括熱解二氧化硅顆粒。熱解二氧化硅顆?？稍谕ㄟ^揮發(fā)性前體(如鹵化硅)在高溫火焰(H2/空氣或H2/CH4/空氣)中進(jìn)行水解和/或氧化以制備熱解二氧化硅的熱解過程中由所述前體產(chǎn)生?？墒褂靡旱萎a(chǎn)生器將含有所述前體的溶液噴到高溫 火焰中，并然后可收集金屬氧化物。典型的液滴產(chǎn)生器包括雙流體噴霧器、高壓噴嘴和超聲噴霧器。適宜的熱解二氧化娃產(chǎn)品可從諸如Cabot、Tokuyama、及Degussa的制造商購得。所述二氧化硅可具有任意適宜的平均粒度(即，平均顆粒直徑)。所述二氧化硅的平均粒度可為IOnm或更大，例如15nm或更大、20nm或更大、或25nm或更大?？蛇x擇地或者另外地,所述二氧化硅的平均粒度可為120nm或更小，例如，IlOnm或更小、IOOnm或更小、90nm或更小、80nm或更小、70nm或更小、60nm或更小、50nm或更小、或40nm或更小。因此，所述二氧化硅可具有由上述端值中的任意兩個(gè)所界定的平均粒度。例如，所述二氧化硅的平均粒度可為 IOnm 至 100nm、20nm 至 100nm、20nm 至 80nm、20nm 至 60nm、或 20nm 至 40nm。對于非球形二氧化硅顆粒而言，顆粒的尺寸為包裹該顆粒的最小球體的直徑。該拋光組合物可包含任意適宜量的二氧化硅。典型地，該拋光組合物可含有0. 5重量％或更高，例如，I重量％或更高、2重量％或更高、或5重量％或更高的二氧化硅?？蛇x擇地或者另外地，該拋光組合物可含有20重量％或更低,例如，15重量％或更低、10重量％或更低、8重量％或更低、6重量％或更低、或5重量％或更低的二氧化硅。因此，該拋光組合物可包含由針對二氧化硅所列舉的上述端值中的任意兩個(gè)所界定的量的二氧化硅。例如，該拋光組合物可包含0. 5重量％至20重量％、1重量％至15重量％、5重量％至15重量％、或0. 5重量％至5重量％的二氧化娃。所述二氧化硅顆粒優(yōu)選是膠體穩(wěn)定的。術(shù)語膠體是指二氧化硅顆粒在液體載體中的懸浮液。膠體穩(wěn)定性是指懸浮液隨時(shí)間的保持性。在本發(fā)明的上下文中，如果當(dāng)將研磨劑置于100毫升量筒中并使其無攪動地靜置2小時(shí)時(shí)，量筒底部50毫升中的顆粒濃度([B]，以克/毫升表示)與量筒頂部50毫升中的顆粒濃度([T]，以克/毫升表示)之間的差除以研磨劑組合物中顆粒的初始濃度([C]，以克/毫升表示)小于或等于0.5(即，{[B]-[T]}/[C] <0.5)，則認(rèn)為研磨劑是膠體穩(wěn)定的。更優(yōu)選地，[B]-[T]/[C]的值小于或等于0.3，且最優(yōu)選小于或等于0. I。該拋光組合物包含水。使用該水以利于將研磨劑顆粒、提高硅移除速率的化合物、及任意其它添加劑施加到待拋光或待平坦化的適宜的基板表面上。優(yōu)選地，水為去離子水。該拋光組合物的pH值為11或更低(例如，10或更低)。優(yōu)選地，該拋光組合物的PH值為7或更高(例如，8或更高)。甚至更優(yōu)選地，該拋光組合物的pH值為7至11 (例如，8至10)。該拋光組合物任選含有pH值調(diào)節(jié)劑，例如氫氧化鉀、氫氧化銨、和/或硝酸。該拋光組合物還任選包含PH值緩沖體系。許多這樣的pH值緩沖體系是本領(lǐng)域公知的。pH值緩沖劑可為任意適宜的緩沖劑，例如，碳酸氫鹽-碳酸鹽緩沖體系、氨基烷基磺酸等。該拋光組合物可包含任意適宜量的PH值調(diào)節(jié)劑和/或pH值緩沖劑，條件為采用適宜的量以實(shí)現(xiàn)和/或保持該拋光組合物的PH值在適宜范圍內(nèi)。本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光組合物的第一實(shí)施方案提供基本上由以下組成或者由以下組成的化學(xué)機(jī)械拋光組合物(a)0. 5重量％至20重量％的二氧化硅、(b)0. 02重量％至5重量％的有機(jī)羧酸、(c)0. 02重量％至2重量％的氨基膦酸、(d)0. I重量％至5重量％的四烷基銨鹽、(e)任選的碳酸氫鹽、(f)任選的氫氧化鉀、及(g)水，其中該拋光組合物的PH值為7至11。該第一實(shí)施方案的拋光組合物含有一種或多種適宜的有機(jī)羧酸或其鹽。該有機(jī)羧酸可為烷基羧酸或芳基羧酸且可任選地由選自以下的基團(tuán)取代=C1-C12烷基、氨基、經(jīng)取 代的氨基(例如，甲基氨基、二甲基氨基等)、羥基、鹵素、及其組合。優(yōu)選地，該有機(jī)羧酸為羥基羧酸(例如，脂族羥基羧酸或羥基苯甲酸)、氨基酸、氨基羥基苯甲酸、或吡啶羧酸。適宜的羥基羧酸的非限制性實(shí)例包括丙二酸、乳酸、蘋果酸、酒石酸、乙酰氧肟酸、羥基乙酸、2-羥基丁酸、二苯乙醇酸、水楊酸、及2，6_二羥基苯甲酸。適宜的氨基酸的非限制性實(shí)例包括甘氨酸、丙氨酸、脯氨酸、賴氨酸、半胱氨酸、亮氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、及2-氨基-4-噻唑乙酸。氨基羥基苯甲酸的非限制性實(shí)例包括3-氨基水楊酸及3-氨基-4-羥基苯甲酸。吡啶羧酸的非限制性實(shí)例包括吡啶甲酸及煙酸。該第一實(shí)施方案的拋光組合物可含有任意適宜量的有機(jī)羧酸。該拋光組合物可含有0. 02重量％或更高，例如，0. 05重量％或更高、0. I重量％或更高、或0. 5重量％或更高的有機(jī)羧酸。可選擇地或者另外地，該拋光組合物可含有5重量％或更低,例如,4重量％或更低、3重量％或更低、2重量％或更低、或I重量％或更低的有機(jī)羧酸。因此，該拋光組合物可包含由針對有機(jī)羧酸所列舉的上述端值中的任意兩個(gè)所界定的量的有機(jī)羧酸。例如，該拋光組合物可包含0. 02重量％至5重量％、0. 05重量％至4重量％、或0. I重量％至3重量％的有機(jī)羧酸。該第一實(shí)施方案的拋光組合物含有一種或多種適宜的氨基膦酸。優(yōu)選地，該氨基膦酸選自乙二胺四(亞甲基膦酸)、氨基三(亞甲基膦酸)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)、其鹽、及其組合。更優(yōu)選地，該氨基膦酸為氨基三(亞甲基膦酸)。該第一實(shí)施方案的拋光組合物可含有任意適宜量的氨基膦酸。典型地，該拋光組合物可含有0. 02重量％或更高，例如，0. I重量％或更高、0. 2重量％或更高、或0. 5重量％或更高的氨基膦酸?？蛇x擇地或者另外地，該拋光組合物可含有2重量％或更低，例如，I. 5重量％或更低、或I重量％或更低的氨基膦酸。因此，該拋光組合物可包含由針對氨基膦酸所列舉的上述端值中的任意兩個(gè)所界定的量的氨基膦酸。例如，該拋光組合物可包含0. 02重量％至2重量％、0. I重量％至I. 5重量％、或0. 5重量％至I重量％的氨基膦酸。該第一實(shí)施方案的拋光組合物包含一種或多種適宜的四燒基銨鹽。該四燒基銨鹽優(yōu)選包含選自以下的陽離子四甲基銨、四乙基銨、四丙基銨、及四丁基銨。該四烷基銨鹽可具有任意適宜的陰離子，其包括但不限于氫氧根、氯離子、溴離子、硫酸根、或酸式硫酸根。在一個(gè)實(shí)施方案中，該四烷基銨鹽為氫氧化四烷基銨(例如，氫氧化四甲基銨)。
該第一實(shí)施方案的拋光組合物可包含任意適宜量的四烷基銨鹽。典型地，該拋光組合物可含有0. I重量％或更高,例如,0. I重量％或更高、0. 2重量％或更高、或0. 5重量％或更高的四烷基銨鹽。可選擇地或者另外地，該拋光組合物可含有5重量％或更低，例如，4重量％或更低、3重量％或更低、2重量％或更低、或I重量％或更低的四烷基銨鹽。因此，該拋光組合物可包含由針對四烷基銨鹽所列舉的上述端值中的任意兩個(gè)所界定的量的四燒基銨鹽。例如，該拋光組合物可包含0. I重量％至5重量％、0. 2重量％至4重量％、或0. 5重量％至3重量％的四烷基銨鹽。本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光組合物的第二實(shí)施方案提供基本上由以下組成或者由以下組成的化學(xué)機(jī)械拋光組合物(a)0. 5重量％至20重量％的二氧化硅、(b)0. 01重量％至2重量％的多氨基羧酸、(c)0. I重量％至5重量％的胺、(d)0. I重量％至5重量％的四烷基銨鹽、(e)0. 001重量％至I重量％的二醇化合物、(f)任選的碳酸氫鹽、及(g)水,其中該拋光組合物的pH值為7至11。該第二實(shí)施方案的拋光組合物包含一種或多種適宜的多氨基羧酸。本文使用的術(shù)語多氨基羧酸是指具有兩個(gè)或更多個(gè)氨基及兩個(gè)或更多個(gè)羧酸基團(tuán)的化合物。優(yōu)選地，該 多氨基羧酸選自乙二胺四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸、N-(羥乙基)乙二胺三乙酸、次氨基三乙酸、甲基甘氨酸二乙酸、其鹽、及其組合。更優(yōu)選地，該多氨基羧酸選自乙二胺四乙酸或其鹽(例如，其單_、二 _、三_、或四鈉鹽)。該第二實(shí)施方案的拋光組合物可包含任意適宜量的多氨基羧酸。典型地，該拋光組合物可含有0. 01重量％或更高，例如，0. I重量％或更高、0. 2重量％或更高、或0. 5重量％或更高的多氨基羧酸?？蛇x擇地或者另外地，該拋光組合物可含有2重量％或更低，例如，I. 5重量％或更低、或I. 0重量％或更低的多氨基羧酸。因此，該拋光組合物可包含由針對多氨基羧酸所列舉的上述端值中的任意兩個(gè)所界定的量的多氨基羧酸。例如，該拋光組合物可包含0. 01重量％至2重量％、0. I重量％至I. 5重量％、或0. 5重量％至I重量％的多氨基羧酸。該第二實(shí)施方案的拋光組合物包含一種或多種適宜的胺。適宜胺的非限制性實(shí)例包括哌嗪、氨基乙基哌嗪、2-甲基-2-氨基乙醇、(2-氨基乙基)-2-氨基乙醇、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、乙二胺、二亞乙基三胺、四亞乙基五胺、肼、2-羥乙基肼、氨基脲、羥胺、N-甲基羥胺、0-甲基羥胺、及0-羧基甲基羥胺。更優(yōu)選地，該胺為哌嗪或氨基乙基哌嗪。該第二實(shí)施方案的拋光組合物可包含任意適宜量的胺。典型地，該拋光組合物可含有0. 05重量％或更高，例如，0. I重量％或更高、0. 2重量％或更高、或0. 5重量％或更高的胺?？蛇x擇地或者另外地，該拋光組合物可含有5重量％或更低，例如，4重量％或更低、3重量％或更低、2重量％或更低、或I重量％或更低的胺。因此，該拋光組合物可包含由針對胺所列舉的上述端值中的任意兩個(gè)所界定的量的胺。例如，該拋光組合物可包含0. 05重量％至5重量％、0. 2重量％至4重量％、或0. 5重量％至3重量％的胺。該第二實(shí)施方案的拋光組合物包含一種或多種適宜的四烷基銨鹽。該四烷基銨鹽及其量可如該拋光組合物的第一實(shí)施方案所列舉的。該第二實(shí)施方案的拋光組合物包含一種或多種適宜的二醇化合物。該二醇化合物可為任意適宜的二醇化合物且典型地為1，2- 二醇化合物或1，3- 二醇化合物。典型地，該二醇化合物為直鏈或支鏈C2-Cltl 二醇化合物。適宜的1，2- 二醇化合物的非限制性實(shí)例包括1，2-丙二醇、1，2-丁二醇、1，2-戊二醇、2，3-戊二醇、及其組合。適宜的1，3-二醇化合物的非限制性實(shí)例包括1，3-丙二醇、1，3-丁二醇、1，3-戊二醇、2，4-戊二醇、及其組合。該第二實(shí)施方案的拋光組合物可包含任意適宜量的二醇化合物。典型地，該拋光組合物可含有0. 001重量％或更高，例如，0. 005重量％或更高、0. 01重量％或更高、或0. 05重量％或更高的二醇化合物?？蛇x擇地或者另外地，該拋光組合物可含有I重量％或更低，例如，0. 75重量％或更低、0. 5重量％或更低、0. 25重量％或更低、或0. I重量％或更低的二醇化合物。因此，該拋光組合物可包含由針對二醇化合物所列舉的上述端值中的任意兩個(gè)所界定的量的二醇化合物。例如，該拋光組合物可包含0. 001重量％至I重量％、0. 005重量％至0. 75重量％、或0. 01重量％至0. 5重量％的二醇化合物。本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光組合物的第三實(shí)施方案包括基本上由以下組成或者由以下 組成的化學(xué)機(jī)械拋光組合物(a)0. 5重量％至20重量％的二氧化硅、(b)0. 01重量％至2重量％的多氨基羧酸、(c)0. I重量％至5重量％的四烷基銨鹽、(d)0. I重量％至5重量％的有機(jī)羧酸、(e)任選的0. I重量％至5重量％的胺、(f)任選的碳酸氫鹽、及(g)水，其中該拋光組合物的PH值為7至11。所述多氨基羧酸、四烷基銨鹽、有機(jī)羧酸、胺、以及它們在本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光組合物的第三實(shí)施方案中的含量可如本文針對本發(fā)明拋光組合物的第一及第二實(shí)施方案所列舉的。本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光組合物的第四實(shí)施方案提供基本上由以下組成或者由以下組成的化學(xué)機(jī)械拋光組合物(a)0. 5重量％至20重量％的二氧化硅、(b)0. 02重量％至5重量％的含氮雜環(huán)化合物、(c)0. 05重量％至2重量％的氨基膦酸、(d)0. I重量％至5重量％的四烷基銨鹽、(e)任選的碳酸氫鹽、及(f)水，其中該拋光組合物的pH值為7至11。所述氨基膦酸、四烷基銨鹽、以及它們在本發(fā)明化學(xué)機(jī)械拋光組合物的第四實(shí)施方案中的含量可如本文針對本發(fā)明拋光組合物的第一實(shí)施方案所列舉的。
該第四實(shí)施方案的拋光組合物包含一種或多種適宜的含氮雜環(huán)化合物。本文使用的術(shù)語含氮雜環(huán)化合物是指具有一個(gè)或多個(gè)作為部分環(huán)體系而包含的氮原子的5-、6_、或7-元環(huán)化合物。在一個(gè)實(shí)施方案中，該含氮雜環(huán)化合物為三唑。在優(yōu)選實(shí)施方案中，該含氮雜環(huán)化合物為氨基三唑。適宜的氨基三唑的非限制性實(shí)例包括3-氨基-1，2，4-三唑、3-氨基-1，2，4-三唑-5-羧酸、3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑、及4-氨基-5-肼基-1，2，4-三唑-3-硫醇。在另一實(shí)施方案中，該含氮雜環(huán)化合物為噻唑。適宜的噻唑的非限制性實(shí)例包括2-氨基-5-甲基噻唑、2-氨基-4-噻唑乙酸、及噻唑。在另一實(shí)施方案中，該含氮雜環(huán)化合物為雜環(huán)N-氧化物。適宜的雜環(huán)N-氧化物的非限制性實(shí)例包括2-羥基吡啶-N-氧化物、4-甲基嗎啉-N-氧化物、及吡啶甲酸N-氧化物。
該第四實(shí)施方案的拋光組合物可包含任意適宜量的含氮雜環(huán)化合物。該拋光組合物可含有0. 02重量％或更高，例如，0. 05重量％或更高、0. I重量％或更高、或0. 5重量％或更高的含氮雜環(huán)化合物?？蛇x擇地或者另外地，該拋光組合物可含有5重量％或更低，例如,4重量％或更低、3重量％或更低、2重量％或更低、或I重量％或更低的含氮雜環(huán)化合物。因此，該拋光組合物可包含由針對含氮雜環(huán)化合物所列舉的上述端值中的任意兩個(gè)所界定的量的含氮雜環(huán)化合物。例如，該拋光組合物可包含0. 02重量％至5重量％、0. 05重量％至4重量％、或0. I重量％至3重量％的含氮雜環(huán)化合物。該拋光組合物任選地進(jìn)一步含有一種或多種碳酸氫鹽。該碳酸氫鹽可為任意適宜的碳酸氫鹽且可為例如碳酸氫鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫銨、或其組合。該拋光組合物可含有任意適宜量的碳酸氫鹽。典型地，該拋光組合物可含有0. 05重量％或更高，例如，0. I重量％或更高、0. 25重量％或更高、或0. 5重量％或更高的碳酸氫鹽?？蛇x擇地或者另外地，該拋光組合物可含有5重量％或更低，例如，4重量％或更低、3重量％或更低、2重量％或更低、或I重量％或更低的碳酸氫鹽。因此，該拋光組合物可包含由針對碳酸氫鹽所列舉的上述端值中的任意兩個(gè)所界定的量的碳酸氫鹽。例如，該拋光組合物可包含0. 05重量％至I重量％、0. I重量％至4重量％、0. 25重量％至3重量％、或0. 5重量％至2重量％的碳酸氫鹽。該拋光組合物任選地進(jìn)一步含有氫氧化鉀。該拋光組合物可含有任意適宜量的氫氧化鉀。典型地，該拋光組合物可含有0. 05重量％或更高，例如，0. I重量％或更高、或0. 25重量％或更高的氫氧化鉀?？蛇x擇地或者另外地，該拋光組合物可含有2重量％或更低，例如，I. 5重量％或更低、I重量％或更低、0. 8重量％或更低、或0. 6重量％或更低的氫氧化鉀。因此，該拋光組合物可包含由針對氫氧化鉀所列舉的上述端值中的任意兩個(gè)所界 定的量的氫氧化鉀。例如，該拋光組合物可包含0. 05重量％至I重量％、0. I重量％至2重量％、0. I重量％至I重量％、或0. 25重量％至0. 8重量％的氫氧化鉀。該拋光組合物任選地進(jìn)一步包含一種或多種其它添加劑。這樣的添加劑包括任意適宜的分散劑，例如，包含一種或多種丙烯酸類單體的均聚物或者無規(guī)、嵌段或梯度丙烯酸酯共聚物(例如，聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、乙烯基丙烯酸酯及苯乙烯丙烯酸酯)、其組合、及其鹽。其它適宜的添加劑包括殺生物劑。所述殺生物劑可為任意適宜的殺生物劑，例如，異噻唑啉酮?dú)⑸飫?。本發(fā)明拋光組合物可通過任何合適的技術(shù)制備，其中的許多是本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的。該拋光組合物可以間歇或連續(xù)方法制備。通常，該拋光組合物可通過將其組分以任意順序組合而制備。本文使用的術(shù)語“組分”包括單獨(dú)的成分(例如，二氧化硅、提高硅移除速率的化合物、四烷基銨鹽等)以及各成分(例如，二氧化硅、提高硅移除速率的化合物、四烷基銨鹽、緩沖劑等)的任意組合。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，可將二氧化硅分散于水中。然后，可加入所述有機(jī)羧酸、氨基膦酸、及四烷基銨鹽，并通過能將所述組分結(jié)合到拋光組合物中的任意方法進(jìn)行混合。在拋光組合物的制備中，可類似地利用提高硅移除速率的其它化合物?？稍谑褂们爸苽鋻伖饨M合物，而且，將一種或多種組分(如PH值調(diào)節(jié)組分)在即將使用前(例如，在使用前7天內(nèi)、或在使用前I小時(shí)內(nèi)、或在使用前I分鐘內(nèi))加入到拋光組合物中。還可通過在拋光操作期間在基板表面處對所述組分進(jìn)行混合來制備拋光組合物。該拋光組合物還可作為濃縮物提供，該濃縮物意圖在使用之前用適量的水進(jìn)行稀釋。在這樣的實(shí)施方案中，該拋光組合物濃縮物可包含，例如，二氧化硅、一種或多種提高硅移除速率的化合物、四烷基銨鹽、及水，其量使得在用適量的水稀釋該濃縮物時(shí)，該拋光組合物的每種組分將以在上文針對每種組分所列舉的合適范圍內(nèi)的量存在于該拋光組合物中。例如，所述研磨劑、一種或多種提高硅移除速率的化合物、及四烷基銨鹽可各自以上文針對每種組分所列舉的濃度的2倍(例如，3倍、4倍、5倍、10倍、或15倍)大的量存在于該濃縮物中，使得當(dāng)用等體積的水(例如，分別用2份等體積的水、3份等體積的水、4份等體積的水、9份等體積的水、或14份等體積的水)稀釋該濃縮物時(shí)，每種組分將以在上文針對每種組分所述的范圍內(nèi)的量存在于該拋光組合物中。此外，如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)理解的，該濃縮物可含有適當(dāng)分?jǐn)?shù)的存在于最終拋光組合物中的水，以確保所述一種或多種提高硅移除速率的化合物、以及其它合適的添加劑至少部分地或全部地溶解于該濃縮物中。本發(fā)明進(jìn)一步提供了化學(xué)機(jī)械地拋光基板的方法，其包括(i)使基板與拋光墊及本文所述的拋光組合物接觸；(ii)使該拋光墊相對于該基板移動，其中該拋光組合物位于其間 '及(iii)磨除該基板的至少一部分以拋光該基板。盡管本發(fā)明拋光組合物可用于拋光任意基板，但是，該拋光組合物特別適用于拋光包含硅的基板，例如用于電子工業(yè)的硅晶片。在這點(diǎn)上，所述硅可為未經(jīng)摻雜的硅，或者，其可為經(jīng)摻雜的硅(如經(jīng)硼或鋁摻雜的P-型硅)。此外，所述硅可為多晶硅。本發(fā)明拋光組合物及其使用方法適用于對通過金剛石鋸和粗磨由硅單晶制備的硅晶片進(jìn)行預(yù)拋光或最終拋光，而且，適用于硅晶片的邊緣拋光和適用于通過拋光來對硅晶片進(jìn)行回收利用。有利地，當(dāng)將本發(fā)明拋光方法用于對硅晶片(該硅晶片是對經(jīng)金剛石鋸的硅晶片進(jìn)行研磨和蝕刻后的硅晶片)進(jìn)行拋光時(shí)，本發(fā)明拋光方法表現(xiàn)出改進(jìn)的納米構(gòu)形。在化·學(xué)機(jī)械拋光期間，量度納米構(gòu)形變化的一種方法是測定以下參數(shù)的值A(chǔ)Rz/d，其中Rz為剖面的平均最大高度，ARzS從一個(gè)時(shí)間點(diǎn)至另一時(shí)間點(diǎn)(例如，在化學(xué)機(jī)械拋光之前及之后)的艮變化，且d為經(jīng)過相同的時(shí)間間隔所移除的材料的量(以微米為單位)，且該結(jié)果以納米表示。參考圖1，Ri+表示在給定的取樣長度L中的最大峰至谷的高度，且Rz表示在5個(gè)相鄰取樣長度中的5個(gè)值的平均值。取樣長度L大約為5mm。測量(以能夠計(jì)算Rz)的適宜技術(shù)包括針式輪廓測定儀(stylus profilometry)、光學(xué)輪廓測定儀、及原子力顯微鏡。針式輪廓測定儀及光學(xué)輪廓測定儀的合適儀器可得自，例如，VeecoInstruments (Plainview, NY)。期望地,本發(fā)明拋光方法所導(dǎo)致的ARzZd為零或更低，也就是說，在使用本發(fā)明拋光方法之后，基板納米構(gòu)形未變化或得到改進(jìn)。本發(fā)明拋光方法特別適于與化學(xué)機(jī)械拋光裝置結(jié)合使用。典型地，該裝置包括壓板，其在使用時(shí)處于運(yùn)動中并且具有由軌道、線性或圓周運(yùn)動所產(chǎn)生的速度；拋光墊，其與該壓板接觸且在運(yùn)動時(shí)隨該壓板移動；以及載體，其固持待通過與該拋光墊的表面接觸并相對于該拋光墊的表面移動基板而拋光的基板。該基板的拋光通過如下發(fā)生將該基板放置成與該拋光墊和本發(fā)明的拋光組合物接觸且隨后使該拋光墊相對于該基板移動以磨除該基板的至少一部分以拋光該基板?？墒褂萌魏魏线m的拋光墊(例如，拋光表面)以所述化學(xué)機(jī)械拋光組合物對基板進(jìn)行拋光。合適的拋光墊包括，例如，編織及非編織拋光墊。此外，合適的拋光墊可包含具有不同密度、硬度、厚度、壓縮性、壓縮時(shí)的回彈能力和壓縮模量的任何合適的聚合物。合適的聚合物包括，例如，聚氯乙烯、聚氟乙烯、尼龍、碳氟化合物、聚碳酸酯、聚酯、聚丙烯酸酯、聚醚、聚乙烯、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯、其共形成產(chǎn)物、及其混合物。硬質(zhì)聚氨酯拋光墊尤其可用于與本發(fā)明拋光方法結(jié)合。期望地，該化學(xué)機(jī)械拋光裝置進(jìn)一步包括原位拋光終點(diǎn)檢測系統(tǒng)，其中的許多是本領(lǐng)域中已知的。通過分析從正在拋光的基板表面反射的光或其它輻射來檢查和監(jiān)控拋光過程的技術(shù)是本領(lǐng)域中已知的。這樣的方法描述于例如美國專利第5，196，353號、美國專利第5，433，651號、美國專利第5，609，511號、美國專利第5，643，046號、美國專利第5，658，183號、美國專利第5，730，642號、美國專利第5，838，447號、美國專利第5，872，633號、美國專利第5，893，796號、美國專利第5，949，927號、及美國專利第5，964，643號中。期望地，對于正被拋光的基板的拋光過程的進(jìn)展的檢查或監(jiān)控使得能夠確定拋光終點(diǎn)，即，確定何時(shí)終止對特定基板的拋光過程。以下實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明，但當(dāng)然不應(yīng)解釋為以任何方式限制其范圍。實(shí)施例I該實(shí)施例說明了有機(jī)羧酸、氨基膦酸、及四烷基銨鹽對通過本發(fā)明拋光組合物可獲得的針對硅基板觀測到的移除速率及表面粗糙度的影響。用七種不同的拋光組合物(拋光組合物IA至1G)拋光七塊相似基板，所述基板包括102cm(4英寸)直徑的圓形硅晶片。所有拋光組合物均含有I重量％的二氧化硅(濕法二氧化硅(拋光組合物1A、1B、1D、及1F)或熱解二氧化硅(拋光組合物1C、1E、及1G))、 0. 27重量％的氫氧化四甲基銨、及0. 05重量％的在水中的碳酸氫鉀，pH值為10. 5。拋光組合物IA(對比)進(jìn)一步含有0.017重量％的乙二胺四乙酸及0.067重量％的哌嗪。拋光組合物IB至IG進(jìn)一步含有0. 033重量％的二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)和有機(jī)羧酸(其為0. 08重量％的丙二酸(拋光組合物IB及1C)、0. 067重量％的乳酸(拋光組合物ID及1E)、或0. 107重量％的蘋果酸(拋光組合物IF及IG))。拋光后,測定每種拋光組合物的娃移除速率及納米構(gòu)形變化的數(shù)值(magnitude)ARz/d。結(jié)果概括于表I中。表I
拋光組合物桂移除速率(A/min)ARz/d(nm)
1入(對比)65006
IB(本發(fā)明)57000
IC(本發(fā)明)52000.1
ID(本發(fā)明)51500.4
IE(本發(fā)明)56500.4
IF(本發(fā)明)5700-0.2
IG(本發(fā)明)54000從表I中所示的結(jié)果顯見，本發(fā)明拋光組合物所表現(xiàn)出的硅移除速率為對比拋光組合物所表現(xiàn)出的移除速率的約79%至88%，本發(fā)明拋光組合物還表現(xiàn)出由拋光導(dǎo)致的表面粗糙度的改變，所述改變的范圍為從約0. 2nm的表面粗糙度的降低(拋光組合物1F)至約0. 4nm的表面粗糙度的增加(拋光組合物ID和1E)，而對比拋光組合物表現(xiàn)出約6nm的表面粗糙度的增加。實(shí)施例2該實(shí)施例說明了有機(jī)羧酸、多氨基羧酸、及四烷基銨鹽對通過本發(fā)明拋光組合物可獲得的針對硅基板觀測到的移除速率及表面粗糙度的影響。用三種不同的拋光組合物(拋光組合物2A至2C)拋光三塊相似基板，所述基板包括102cm(4英寸)直徑的圓形硅晶片。拋光組合物2A(對比)含有I重量％的濕法二氧化硅、0.0167重量％的乙二胺四乙酸、0. 067重量％的哌嗪、0. 27重量％的氫氧化四甲基銨、及0. 05重量％的碳酸氫鉀。拋光組合物2B(本發(fā)明)含有0. 85重量％的濕法二氧化硅、
0.02重量％的乙二胺四乙酸、0. 083重量％的草酸、0. 2重量％的氫氧化四甲基銨、及0. I重量％的碳酸氫鉀。拋光組合物2C (本發(fā)明)含有0. 53重量％的濕法二氧化硅、0. 0167重量％的乙二胺四乙酸、0. 007重量％的草酸、0. 067重量％的氫氧化四甲基銨、及0. 05重量％的碳酸氫鉀。拋光后，測定每種拋光組合物的硅移除速率及納米構(gòu)形變化的數(shù)值A(chǔ)Rz/d。結(jié)果概括于表2中。表權(quán)利要求
1.化學(xué)機(jī)械拋光組合物，其基本上由以下組成 (a)0.5重量％至20重量％的二氧化硅， (b)0.02重量％至5重量％的一種或多種有機(jī)羧酸， (c)0.05重量％至2重量％的一種或多種氨基膦酸， (d)0.I重量％至5重量％的一種或多種四烷基銨鹽， (e)任選的一種或多種碳酸氫鹽， (f)任選的氫氧化鉀，及 (g)水， 其中該拋光組合物的pH值為7至11。
2.權(quán)利要求I的拋光組合物,其中該拋光組合物含有5重量％至20重量％的二氧化硅。
3.權(quán)利要求2的拋光組合物，其中該拋光組合物含有10重量％至15重量％的二氧化硅。
4.權(quán)利要求I的拋光組合物，其中該二氧化硅為濕法二氧化硅。
5.權(quán)利要求I的拋光組合物，其中該二氧化硅為熱解二氧化硅。
6.權(quán)利要求I的拋光組合物，其中該拋光組合物含有0.I重量％至2重量％的有機(jī)羧酸。
7.權(quán)利要求I的拋光組合物，其中至少一種有機(jī)羧酸為羥基羧酸。
8.權(quán)利要求7的拋光組合物，其中該有機(jī)羧酸為脂族羥基羧酸。
9.權(quán)利要求8的拋光組合物，其中該有機(jī)羧酸選自乳酸、2-羥基丁酸、二苯乙醇酸、及其組合。
10.權(quán)利要求I的拋光組合物，其中至少一種有機(jī)羧酸為羥基苯甲酸。
11.權(quán)利要求10的拋光組合物，其中該有機(jī)羧酸選自水楊酸、2，6_二羥基苯甲酸、及其組合。
12.權(quán)利要求10的拋光組合物，其中該有機(jī)羧酸為氨基羥基苯甲酸。
13.權(quán)利要求I的拋光組合物，其中至少一種羧酸為氨基酸。
14.權(quán)利要求13的拋光組合物，其中該氨基酸選自脯氨酸、甘氨酸、丙氨酸、及其組合。
15.權(quán)利要求I的拋光組合物,其中該拋光組合物含有0.I重量％至I重量％的至少一種氨基膦酸。
16.權(quán)利要求15的拋光組合物，其中該氨基膦酸選自乙二胺四(亞甲基膦酸)、氨基三(亞甲基膦酸)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)、及其組合。
17.權(quán)利要求16的拋光組合物，其中該氨基膦酸為氨基三(亞甲基膦酸)。
18.權(quán)利要求I的拋光組合物，其中至少一種碳酸氫鹽存在于該拋光組合物中，且其中該碳酸氫鹽為碳酸氫鉀。
19.權(quán)利要求I的拋光組合物，其中氫氧化鉀存在于該拋光組合物中。
20.權(quán)利要求I的拋光組合物，其中該拋光組合物的pH值為8至10。
21.化學(xué)機(jī)械拋光組合物，其基本上由以下組成 (a)0.5重量％至20重量％的二氧化硅， (b)0.I重量％至2重量％的一種或多種多氨基羧酸，(c)0.I重量％至5重量％的一種或多種胺， (d)0.I重量％至5重量％的一種或多種四烷基銨鹽， (e)0.001重量％至I重量％的一種或多種I, 3-二醇化合物， (f)任選的一種或多種碳酸氫鹽，及 (g)水， 其中該拋光組合物的pH值為7至11。
22.權(quán)利要求21的拋光組合物，其中該拋光組合物含有5重量％至20重量％的二氧化·硅。
23.權(quán)利要求21的拋光組合物，其中該拋光組合物含有10重量％至15重量％的二氧化硅。
24.權(quán)利要求21的拋光組合物，其中該二氧化硅為濕法二氧化硅。
25.權(quán)利要求21的拋光組合物，其中該二氧化硅為熱解二氧化硅。
26.權(quán)利要求21的拋光組合物，其中該拋光組合物含有0.I重量％至I重量％的所述多氨基羧酸。
27.權(quán)利要求21的拋光組合物，其中該多氨基羧酸選自乙二胺四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸、N-(羥乙基)乙二胺三乙酸、次氨基三乙酸、其鹽、及其組合。
28.權(quán)利要求27的拋光組合物，其中該多氨基羧酸為乙二胺四乙酸。
29.權(quán)利要求21的拋光組合物，其中該拋光組合物含有0.I重量％至2重量％的所述胺。
30.權(quán)利要求21的拋光組合物，其中該胺選自哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、2-甲基-I-氨基乙醇、(2-氨基乙基)氨基乙醇、及其組合。
31.權(quán)利要求21的拋光組合物，其中該1，3-二醇化合物選自1，3_丁二醇、2，4_戊二醇、2，4-己二醇、及其組合。
32.權(quán)利要求21的拋光組合物，其中至少一種碳酸氫鹽存在于該拋光組合物中，且其中該碳酸氫鹽為碳酸氫鉀。
33.權(quán)利要求21的拋光組合物，其中該拋光組合物的pH值為8至10。
34.化學(xué)機(jī)械拋光組合物，其基本上由以下組成 (a)0.5重量％至20重量％的二氧化硅， (b)0.I重量％至2重量％的一種或多種多氨基羧酸， (c)0.I重量％至5重量％的一種或多種四烷基銨鹽， (d)0.I重量％至5重量％的一種或多種有機(jī)羧酸， (e)任選的0.I重量％至5重量％的一種或多種胺， (f)任選的一種或多種碳酸氫鹽，及 (g)水， 其中該拋光組合物的pH值為7至11。
35.權(quán)利要求34的拋光組合物，其中該拋光組合物含有5重量％至20重量％的二氧化硅。
36.權(quán)利要求34的拋光組合物，其中該拋光組合物含有10重量％至15重量％的二氧化硅。
37.權(quán)利要求34的拋光組合物，其中該二氧化硅為濕法二氧化硅。
38.權(quán)利要求34的拋光組合物，其中該二氧化硅為熱解二氧化硅。
39.權(quán)利要求34的拋光組合物，其中該拋光組合物含有0.I重量％至I重量％的所述多氨基羧酸。
40.權(quán)利要求34的拋光組合物，其中該多氨基羧酸選自乙二胺四乙酸、二亞乙基三胺五乙酸、N-(羥乙基)乙二胺三乙酸、次氨基三乙酸、其鹽、及其組合。
41.權(quán)利要求40的拋光組合物，其中該多氨基羧酸為乙二胺四乙酸。
42.權(quán)利要求34的拋光組合物，其中該拋光組合物含有0.I重量％至2重量％的所述有機(jī)羧酸。
43.權(quán)利要求34的拋光組合物，其中至少一種有機(jī)羧酸為二羧酸。
44.權(quán)利要求43的拋光組合物，其中該有機(jī)羧酸為草酸或二苯乙醇酸。
45.權(quán)利要求34的拋光組合物，其中該拋光組合物含有0.I重量％至2重量％的所述胺。
46.權(quán)利要求34的拋光組合物，其中該胺選自哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、2-甲基-I-氨基乙醇、(2-氨基乙基)氨基乙醇、及其組合。
47.權(quán)利要求34的拋光組合物，其中至少一種碳酸氫鹽存在于該拋光組合物中，且其中該碳酸氫鹽為碳酸氫鉀。
48.權(quán)利要求34的拋光組合物，其中該拋光組合物的pH值為8至10。
49.化學(xué)機(jī)械拋光組合物，其基本上由以下組成 (a)0.5重量％至20重量％的二氧化硅， (b)0.02重量％至5重量％的一種或多種含氮雜環(huán)化合物， (c)0.05重量％至2重量％的一種或多種氨基膦酸， (d)0.I重量％至5重量％的一種或多種四烷基銨鹽， (e)任選的一種或多種碳酸氫鹽,及 (f)水， 其中該拋光組合物的pH值為7至11。
50.權(quán)利要求49的拋光組合物，其中該拋光組合物含有5重量％至20重量％的二氧化硅。
51.權(quán)利要求50的拋光組合物，其中該拋光組合物含有10重量％至15重量％的二氧化硅。
52.權(quán)利要求49的拋光組合物，其中該二氧化硅為濕法二氧化硅。
53.權(quán)利要求49的拋光組合物，其中該二氧化硅為熱解二氧化硅。
54.權(quán)利要求49的拋光組合物，其中該拋光組合物含有0.I重量％至2重量％的所述含氮雜環(huán)化合物。
55.權(quán)利要求49的拋光組合物，其中至少一種含氮雜環(huán)化合物為三唑。
56.權(quán)利要求55的拋光組合物，其中該含氮雜環(huán)化合物為氨基三唑。
57.權(quán)利要求56的拋光組合物，其中該氨基三唑選自3-氨基-I，2，4-三唑、3-氨基- I，.2，4-三唑-5-羧酸、3-氨基-5-巰基- I，2，4-三唑、及4-氨基-5-肼基- I，2，4-三唑-3-硫醇。
58.權(quán)利要求49的拋光組合物，其中至少一種含氮雜環(huán)化合物為噻唑。
59.權(quán)利要求58的拋光組合物，其中該噻唑選自2-氨基-5-甲基噻唑、2-氨基-噻唑乙酸、及噻唑。
60.權(quán)利要求49的拋光組合物，其中至少一種含氮雜環(huán)化合物為雜環(huán)N-氧化物。
61.權(quán)利要求60的拋光組合物，其中該含氮雜環(huán)化合物選自2-羥基吡啶-N-氧化物、4-甲基嗎啉-N-氧化物、及吡啶甲酸N-氧化物。
62.權(quán)利要求49的拋光組合物，其中該拋光組合物含有0.I重量％至I重量％的至少一種氨基膦酸。
63.權(quán)利要求62的拋光組合物，其中該氨基膦酸選自乙二胺四(亞甲基膦酸)、氨基三(亞甲基膦酸)、二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)、及其組合。
64.權(quán)利要求63的拋光組合物，其中該氨基膦酸為氨基三(亞甲基膦酸)。
65.權(quán)利要求49的拋光組合物，其中至少一種碳酸氫鹽存在于該拋光組合物中，且其中該碳酸氫鹽為碳酸氫鉀。
66.權(quán)利要求49的拋光組合物，其中該拋光組合物的pH值為8至10。
全文摘要
本發(fā)明提供了包含以下的拋光組合物(a)二氧化硅、(b)一種或多種提高硅移除速率的化合物、(c)一種或多種四烷基銨鹽、和(d)水，其中，該拋光組合物的pH值為7至11。本發(fā)明進(jìn)一步提供了用該拋光組合物拋光基板的方法。
文檔編號C09K3/14GK102725373SQ201080041294
公開日2012年10月10日 申請日期2010年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月16日
發(fā)明者B.雷斯, J.克拉克, J.吉利蘭, L.瓊斯, M.懷特 申請人:嘉柏微電子材料股份公司