技術編號：3755721
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及含鎘的長余輝發(fā)光材料及其制備方法，尤其是含鎘化合物為基質體系的長余輝磷光體及其制備方法。背景技術 長余輝材料是一種節(jié)能的弱光照明及顯示材料。它在受日光或者紫外光照射后，能夠把光能存儲在材料自身的陷阱中，然后再緩慢地把能量釋放給材料中的激活離子而發(fā)光。長余輝現(xiàn)象的產生在目前被認為是基質本身存在缺陷能級或通過摻雜而引起的雜質能級，這些能級在激發(fā)階段能捕獲電子或空穴，當激發(fā)完后，這些電子和空穴因熱運動而緩慢釋放，電子和空穴復合而發(fā)光，從而產生長余輝發(fā)光...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。