技術(shù)編號：3727100
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種通過將結(jié)晶氧化物顆粒的細(xì)碎、穩(wěn)定懸浮液通過涂敷施用于基材(如果需要的話將其加熱)上、蒸發(fā)懸浮介質(zhì)并高溫?zé)Y(jié)而涂敷基材的方法。將具有高介電常數(shù)的氧化材料如鈦酸鋇、鈦酸鍶、鋇和鍶的混合鈦酸鹽、鈦酸鋯鉛或鉭酸鍶鉍在微電子學(xué)中用作存儲(chǔ)芯片的介電體或鐵電體。如果在基材上的這些材料以結(jié)晶形式作為層厚為約100nm的膜施用，則它們作為介電體使用。為了生產(chǎn)膜，必須在300-1000℃下進(jìn)行熱處理。由Appl.Phys.(應(yīng)用物理)A 69(1999)，55-...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。