技術編號：3670830
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及多孔膜的前體組合物及其制備方法、多孔膜及其制作方法、以及半導體裝置。特別涉及用于制作具有低介電常數(shù)和 低折射率、且機械強度也優(yōu)良的疏水性多孔膜的多孔膜的前體組合物 及其制備方法、使用該前體組合物得到的多孔膜及其制作方法、和利 用了該多孔膜的半導體裝置。背景技術近年，在LSI領域，以銅布線和2. 5以下的低介電常數(shù)(k) 為特征的層間絕緣膜的引入的研究開發(fā)很活躍。作為這種層間絕緣膜， 提出了將具有低介電常數(shù)的氧化物膜多孔化，進一步降低相對介電常 數(shù)...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。