技術(shù)編號(hào)：3663450
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于集成電路互連介質(zhì)材料，具體涉及，即為一種七缺角的籠型倍半硅氧烷(POSS)單體合成改性POSS聚合物的方法。背景技術(shù)隨著集成電路特征尺寸進(jìn)入深亞微米，互連RC延遲已成為影響電路速度的重要因素。因此，為了降低互連延遲，各種低介電常數(shù)材料被不斷開(kāi)發(fā)出來(lái)。為了得到低介電常數(shù)(k)介質(zhì)材料，理論上我們可以通過(guò)降低介質(zhì)的極化率，以及降低單位體積內(nèi)的極化分子的密度來(lái)實(shí)現(xiàn)。然而，在均勻介質(zhì)中通過(guò)降低其極化率來(lái)獲得低k是有限的，因此在材料中引入空氣隙(!Tl)以...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。