技術(shù)編號：3616877
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種真空微電子及納米材料，具體涉及，屬納米應(yīng)用。背景技術(shù)場發(fā)射器件具有電流密度大、功耗低、響應(yīng)快等特點，在平板顯示器、X射線源、微波放大器等真空電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景。由于碳納米管的納米級發(fā)射尖端、大的長徑比、高強(qiáng)度、高韌性、良好的熱穩(wěn)定性和導(dǎo)電性等，有望成為理想的場發(fā)射材料之一。目前碳納米管場發(fā)射體的制備技術(shù)主要有直接生長技術(shù)和絲網(wǎng)印刷技術(shù)。直接生長技術(shù)制備的場發(fā)射體，碳納米管與襯底結(jié)合性較好，但其生長溫度較高，且不利于大面積生長，因而影響...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。