技術(shù)編號:3600633
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例公開了一種制造高比容電極薄膜的方法,包括采用反向膠束聚合法合成石墨烯/導(dǎo)電聚合物/導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)復(fù)合溶液,然后制備石墨烯/導(dǎo)電聚合物/導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)復(fù)合納米薄膜,接著采用快速升溫干燥法制備多孔石墨烯/導(dǎo)電聚合物/導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)復(fù)合納米薄膜,最后采用電化學(xué)方法制備石墨烯/導(dǎo)電聚合物/導(dǎo)電聚合物納米結(jié)構(gòu)/金屬氧化物復(fù)合納米薄膜,從而獲得一種高比容電極薄膜。該方法制備的復(fù)合納米電極為多組份的復(fù)合納米薄膜,在高比容量電化學(xué)儲(chǔ)能材料上具有廣泛...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲(chǔ)備,不適合論文引用。