技術(shù)編號：3566426
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及通過原子層沉積(ALD)，也稱作原子層外延，形成含釕的膜的方法。 背景技術(shù)ALD是基于表面反應(yīng)的自限制、順序性的獨(dú)特膜生長技術(shù)，其可以提供原子層控制 和將由例如鈦基前體提供的材料的保形薄膜沉積到在各種組成的基材上。在ALD中，在反 應(yīng)過程中分離各前體。使第一前體經(jīng)過所述基材上方，在基材上產(chǎn)生單層。從反應(yīng)室泵送 出任何過量的未反應(yīng)前體。然后，使第二前體經(jīng)過所述基材上方并與所述第一前體反應(yīng)，在 基材表面上的第一形成層的上方形成膜的第二單層。重復(fù)這個(gè)循...
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