技術(shù)編號(hào):3501946
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。概括而言,本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。更具體地,本發(fā)明涉及用于 在基底上沉積金屬膜的新型前體。背景技術(shù)相較于其它沉積方法,例如,物理氣相沉積(PVD)法,例如濺射、 分子束取向附生和離子束植入,ALD和CVD是沉積金屬膜的特別有用的 技術(shù)。ALD和CVD還可用于在制造電子裝置的設(shè)計(jì)中提供靈活性,包括 減少提供合意產(chǎn)物所需的加工階段的數(shù)的可能。這些技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)用于銅、 銀、金和其它材料的沉積的保形沉積、選擇性沉積。適用于形成金屬膜的 方法需要鑒別須符合嚴(yán)M求(...
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