技術(shù)編號：3471806
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種制造SiC的方法，其中盡量減少污染氣體的排放，通過用過量碳還原硅氧化物，所述方法包括通過電加熱在由選自石油焦的碳基源和硅源，尤其是純度大于95%的SiO2的二氧化硅組成的原材料混合物中心處的電阻器以便在高于1500℃的溫度下引發(fā)該簡化反應(yīng)SiO2+3C=SiC+2CO?（1），所述方法的特征在于所屬碳基源首先經(jīng)受除去所含氫的處理，以使其元素氫含量（EHWC）低于2重量%。專利說明制造碳化娃的方法[0001]本發(fā)明涉及制造碳化硅的新方法。[00...
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