技術(shù)編號：3470879
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體光伏行業(yè)用高純度硅烷制備方法，特別是涉及一種硅烷中 微量雜質(zhì)的去除方法。背景技術(shù)硅烷又稱單硅烷和甲硅烷，分子式為SiH4,相對分子質(zhì)量32. 12。SiH4在常溫、常 壓下為一種無色、有窒息性氣味、高活性和可壓縮氣體。3讓4氣體是電子氣體中最重要的品 種，它作為半導(dǎo)體多晶硅、外延膜生成、非晶硅、硅器件除雜膜和聚硅膜的原料氣。制備的方 法有LiAlH4法(氫化鋁鋰法)，"A-F硅烷法”(也稱硅化鎂法)，鹵代硅烷歧化法等。中國 國內(nèi)大部分采...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。