技術(shù)編號:3468675
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于納米材料制備,特別是提供了一種自催化法制備高產(chǎn)量四針狀氧化 鋅(T-ZnO)納米材料的方法,實(shí)現(xiàn)了低的制備溫度下大范圍的可控生長。 背景技術(shù)ZnO是一種具有壓電和光電特性的半導(dǎo)體材料,在常溫下禁帶寬度是3.37ev,是典型的 直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料,同時它的激子束縛能高達(dá)60meV,比室溫?zé)犭x能26meV高很 多,激子不易發(fā)生熱離化。由于有大束縛能的激子更易在室溫下實(shí)現(xiàn)高效率的激發(fā)射,因此與 ZnSe (22 meV) 、 ZnS ( 40 m...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。