技術(shù)編號(hào)：3466067
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種可作為薄膜光伏電池光吸收層的I2-II-IV-VI4族半導(dǎo)體納米晶的制備工藝。具體的說，是一種Cu2CdSnS4或CuJeSn、納米晶的水熱制備工藝方法。背景技術(shù)隨著全球經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，煤炭、石油、天然氣等不可再生資源日益減少，尋找蘊(yùn)藏豐富、不會(huì)枯竭，安全、干凈新能源成為當(dāng)前人類面臨的迫切問題。占地球總能量99%以上的太陽能，具有取之不盡，用之不竭，沒有污染的特點(diǎn)，因而成為各國科學(xué)家競相開發(fā)和利用的新能源之一。目前研究和應(yīng)用最廣泛的太陽能電池...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。