技術(shù)編號(hào)：3446842
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種納米CuS的制備方法。背景技術(shù)由于人們對(duì)環(huán)境質(zhì)量的要求不斷提高和現(xiàn)有的隨著環(huán)保技術(shù)的發(fā)展，高活性的光催化材料因其在污水處理和空氣凈化等領(lǐng)域的重要應(yīng)用而倍受人們的關(guān)注。CuS是一種窄帶隙的P型半導(dǎo)體，禁帶寬度為1.85eV。CuS可被550nm的光激發(fā)，完全可在太陽光的輻射下引發(fā)光催化反應(yīng)。CuS易于合成，方法簡(jiǎn)單并易于操作，而且產(chǎn)率較高。目前，CuS在應(yīng)用方面仍有不足。CuS是窄帶隙半導(dǎo)體，可以被可見光激發(fā)，因此被認(rèn)為是一種重要的可見光響應(yīng)的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。