技術(shù)編號：3441116
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種簡單的、量子點尺寸均勻的、重復(fù)性良好的、電子束輻照可修飾的 納米二氧化錫量子點的制備方法，屬于納米無機材料制備工藝技術(shù)及改性領(lǐng)域。背景技術(shù)二氧化錫是η-型金屬氧化物半導(dǎo)體，在化學(xué)電極、太陽能電池、氣敏材料等領(lǐng)域 得到了廣泛的應(yīng)用，是最早被制備成氣敏器件的氧化物半導(dǎo)體之一。當(dāng)二氧化錫材料表面 吸附還原性氣體時，會引起表面電導(dǎo)的變化，從而具有氣敏特性，其表面吸附的氣體越多， 則敏感性能越好。它幾乎對所有氣體都有靈敏度不同的響應(yīng)，是理想的氣體傳感器...
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