技術(shù)編號(hào)：3440768
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及精制硅的方法，即從較低純度的硅獲得較高純度的硅的方法，以及實(shí)施該方法的設(shè)備和根據(jù)該方法獲得的硅晶體。適用于從各種純度的硅或含硅材料制取半導(dǎo)體和光伏領(lǐng)域應(yīng)用的高純硅材料。背景技術(shù)用于制造半導(dǎo)體或光伏元器件的硅材料，需要較高的純度，通常在6N 8N，和較低的雜質(zhì)含量，一般單一金屬雜質(zhì)低于0. lppm，氧、碳在數(shù)ppm，硼、磷等電性雜質(zhì)在0. 1 Ippm0高純硅的工業(yè)生產(chǎn)，目前主要采用改良西門子法和硅烷法，通過將硅制成化合物三氯氫硅和硅烷，提純后...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。