技術(shù)編號(hào)：3440516
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純多晶硅的，特別涉及一種利用感應(yīng)線圈 和石墨加熱器復(fù)合加熱的方式熔煉多晶硅的方法及裝置。背景技術(shù)高純多晶硅是制備太陽能電池的主要原料。國外制備高純多晶硅主要使用西門 子法，具體為硅烷分解法和氯硅烷氣相氫還原法，其中SiHCl3法即西門子法是目前多晶硅 制備的主流技術(shù)。SiHCl3法的有用沉積比為1X103，是SiH4W 100倍。西門子法沉積速 度可達(dá)8 lOym/min。一次通過的轉(zhuǎn)換效率為5% 20 %，沉積溫度為1100°C...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。