技術(shù)編號(hào)：3435605
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制備固體高純硅的方法。 背景技術(shù)高純度元素硅用于電子半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池的制造。已使用各種方法 生產(chǎn)高純硅。例如，西門子工藝是從三氯硅烷生產(chǎn)元素硅的公知方法。然 而，該工藝是高度耗能的并且對(duì)于每摩爾所獲得的硅，產(chǎn)生3~4摩爾的四 氯化硅副產(chǎn)物。已對(duì)最初的西門子工藝進(jìn)行了改進(jìn)。例如，據(jù)報(bào)道美國(guó)專利6,932,954 中公開(kāi)的工藝通過(guò)在較高溫度下進(jìn)行熱解減少了在三氯硅烷的熱解過(guò)程中 形成的四氯化硅副產(chǎn)物的量。然而，所產(chǎn)生的四氯化硅的量依舊為在最初 的西...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。