技術(shù)編號：3433700
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明總體上涉及形成化合物半導體晶體的方法和裝置，更特別 地，涉及根據(jù)使用冷壁容器化合、均化和固結(jié)半導體化合物尤其是碲化鋅鎘("CdZnTe，，或"CZT")或碲化鎘("CdTe，，)的方法和裝置。 背景技術(shù)存在大量的三元和四元n-vi和ni-v半導體化合物，它們難以由熔體生長成高質(zhì)量單晶。主要有以下四個原因非常高的熔點，不一致 熔化，熔化時的分解或蒸發(fā)或具有超過理想結(jié)晶相的熔點。例如，完全熔化的CZT要求超過IIO(TC的溫度(超過它的液相線溫 度)。因...
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