技術(shù)編號：3433698
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。特別是涉及適于制造太陽電池的硅的 制備方法。背景技術(shù)現(xiàn)在，太陽電池用硅以半導(dǎo)體級別硅的非標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為主要原料。 半導(dǎo)體級別硅是將冶金級別硅純化來制備的。冶金級別硅是混合碳、硅石通過電弧爐還原制備的。通過冶金級別硅和HC1的反應(yīng)合成三氯 硅烷，將其精餾純化后，使用氫在高溫下還原制備半導(dǎo)體級別硅。雖 然用該方法可以制備純度極高的硅，但是由于下述原因成本較高，所 述原因為轉(zhuǎn)化為硅的比率低，為了使該平衡有利于硅必需大量的氫； 即使如此轉(zhuǎn)化率也低必須再次循...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。