技術(shù)編號(hào)：3431537
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。 背景技術(shù)以前，在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，作為對(duì)通過等離子體-CVD(化 學(xué)淀積)、低壓-CVD等方法形成的Si02絕緣膜等的無機(jī)絕緣膜平坦 化處理的化學(xué)機(jī)械研磨劑， 一般考慮膠體二氧化硅系的研磨劑。膠體 二氧化硅系研磨劑采用使四氯化硅酸熱分解等方法，使二氧化珪粒子 生長(zhǎng)，用不含堿金屬的氨等的堿溶液進(jìn)行PH值調(diào)整來制造。但是， 這樣的研磨劑在實(shí)用化方面存在著無機(jī)絕緣膜的研磨速度不夠的問 題。另一方面，作為光掩模用的玻璃表面研磨劑，使用氧化鋅研磨...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。