技術(shù)編號：3428912
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制備薄膜的方法和裝置，特別是涉及一種采用無接觸加熱的共蒸發(fā)工藝制備薄膜的方法和裝置。常用制備薄膜的方法是采用脈沖激光淀積法(以下簡稱PLD)、濺射法、電子束共蒸發(fā)和熱共蒸積法等。PLD方法能生長出性能優(yōu)良的薄膜，但它的生長速度會隨膜層面積增大和增厚而變緩慢，制備難度亦隨之迅速加大。此外，PLD法還需要昂貴的大功率準(zhǔn)分子激光器，而且用PLD方法制備薄膜會產(chǎn)生小顆粒(particle)，影響膜的質(zhì)量。如文獻(xiàn)1Double-sided YBa2Cu...
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