技術(shù)編號(hào)：3425347
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總的涉及在使用薄膜金屬、金屬氧化物材料等的原子層沉積的方法中將所 述材料選擇區(qū)域沉積到基板上。具體而言，本發(fā)明涉及在選擇區(qū)域沉積中可用作沉積抑制 劑的有機(jī)硅氧烷化合物。背景技術(shù)當(dāng)今的電子器件要求電學(xué)或光學(xué)反應(yīng)性物質(zhì)的多層構(gòu)圖層，有時(shí)需要在相對(duì)較大 的基板上。電子器件，例如射頻識(shí)別(RFID)標(biāo)簽、光伏器件(photovoltaics)、光學(xué)和化學(xué) 感應(yīng)器等在它們的電路中均需要具有一定程度的構(gòu)圖(patterning)。平板顯示器，例如液 晶顯示器或電...
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