技術(shù)編號：3417522
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。聯(lián)邦政府資助的研究聲明在美國政府的支持下，以國家科學基金撥款No.ECS-9975504完成本發(fā)明。美國在本發(fā)明中可具有一定的權(quán)利。背景技術(shù)1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及在固體基材上的薄膜沉積、特別是選擇性薄膜沉積用的材料和方法。本發(fā)明還涉及在微電子和光學領(lǐng)域中制造器件用的保形(conformal)薄膜的制造方法和材料。本發(fā)明還涉及生產(chǎn)改進的多孔介電材料用的材料和方法，所述多孔介電材料在微電子器件中，在導電體的絕緣中使用。2.相關(guān)領(lǐng)域的說明原子層沉積(也稱為原子層...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。