技術(shù)編號：3417330
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于太陽能電池，涉及在太陽能電池結(jié)構(gòu)中的。具體涉及硅表面減反射陷光結(jié)構(gòu)制備工藝的單步溶液法制備技術(shù)。背景技術(shù)降低成本和提高轉(zhuǎn)換效率是太陽電池研究的重點(diǎn)方向。硅太陽能電池由于原料來源廣泛，成本較低，占據(jù)著太陽能電池市場的主導(dǎo)地位。減少電池受光面上入射陽光的反射是提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率的手段之一。通過貴金屬輔助刻蝕的方法在硅表面制備減反射結(jié)構(gòu)能夠有效減少入射光的反射損失。通常情況下貴金屬輔助刻蝕一般分為兩步， 首先利用電鍍、化學(xué)鍍、蒸鍍或自組裝等手...
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