技術編號：3416970
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明一般涉及有機金屬化合物領域。具體來說，本發(fā)明涉及鍺膜的氣相沉積。背景技術 可通過各種方法，例如化學氣相沉積(“CVD”)、物理氣相沉積(“PVD”)以及諸如液相取向生長(“LPE”)、分子束取向生長(“MBE”)、化學物質束取向生長(“CBE”)和原子層沉積(“ALD”)之類的其它取向生長技術，在非導電性表面之類的表面上沉積金屬膜。金屬有機化學氣相沉積(“MOCVD”)之類的化學氣相沉積通過使有機金屬前體化合物在升高的溫度(即高于室溫)、常壓或減壓的...
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