技術(shù)編號：3405323
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例大致關(guān)于制造制程，更詳而言的，是關(guān)于在基板制造之前、期間或后續(xù)的用于硬件(hardware)或基板的處理制程。背景技術(shù)隨著其他技術(shù)的進(jìn)展，微電子產(chǎn)業(yè)需要以原子層解析度(resolution) 來沉積材料。原子層沉積(ALD)制程為在約30年前發(fā)展而用以制造電發(fā)光 平板顯示器。在半導(dǎo)體處理、平板顯示器處理或其他電子裝置處理的領(lǐng)域 中，氣相沉積制程在于基板上沉積材料中扮演重要角色。當(dāng)電子元件的幾 何形狀持續(xù)縮小且元件密度持續(xù)增加時(shí)，特征結(jié)構(gòu)(fe...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。