技術(shù)編號:3404982
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)更具體地說,本發(fā)明涉及氣化器和氣化供給裝置,它們用于各以所需的濃度和流速以高效率供應(yīng)液體CVD材料或者液體CVD材料的溶液或固體CVD材料在溶劑中的溶液,而不會引起CVD材料的質(zhì)量變差。氣態(tài)CVD-材料例如SiH4、NH3、PH3和B2H6迄今為止已用作通過CVD設(shè)備生產(chǎn)膜材料的原材料。隨著三維設(shè)備和多層電線的發(fā)展,對絕緣膜的平滑度的需要不斷增加,所以使用液體CVD-材料,它較不易產(chǎn)生諸如空穴的缺陷,并能形成高質(zhì)量的薄膜。例如,使用四乙氧基硅{Si...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。